Новости IT

[• Отнюдь]

Конденсаторы B32654A6105K N1 ( http://www.mouser.com/ds/2/400/MKP_B32651_656-588081.pdf ). Только что- то мне кажется, что нифига не покатит..

сечение вывода - 0,5 кв.мм. ток вы заявили сами - 11 А. по моим прикидкам он в импульсе будет ближе к 16 А при номинальном напряжении и повысится при просадке сети
2х2 хватит, наверно. потом пощупаете, сильно ли греются и оцените нужность увеличения

Собственно, там предлагалось использовать 400-вольтовые ключи для полумоста, 600-вольтовые для моста, и 1200 вольтовые для моста с питанием от 3 фаз. Однако, дата статьи была год эдак 11-12, потому 800-вольтовых почти что и не было).

мосфетов на 1200 до сих почти нету, так что догадываюсь, что в статье рекомендовали IGBT ))
а их до сих пор выпускают преимущественно на 600 и 1200

решил использовать именно 800-вольтовые из- за их цены (ога, жаба душит) и действительно неплохих характеристик (как динамических, так и сопротивления открытого канала

0,6 Ом при нагретом кристалле
даже если взять 11 А, это получается 3,3 В при двух транзисторах в плече
4 доллара за штуку, 32 - за инвертор. не уверен, что это что-то уникальное
точно IGBT подешевле не нашлось?

Тогда не совсем понимаю смысл в быстром параллельном диоде. Весь прикол в том, чтобы в случае необходимости очень-очень быстро открыться, размагничивая через себя трансформатор и так же быстро закрыться, чтобы паразитный не успел среагировать и не наделал проблем?

да. но в мосте этого скорее всего не произойдет

А как же тогда современные супер-пупер разработки, где последовательно с транзистором стоит диод Шоттки (для предотвращения срабатывания паразитного диода), а все это дело параллелит быстрый диод?

мостовой инвертор?
поделитесь ссылочкой

--------------------

Мощность распределять нужно плавно и равномерно (ц) Гена21

[• -=Sm()kE=-]

сечение вывода - 0,5 кв.мм. ток вы заявили сами - 11 А. по моим прикидкам он в импульсе будет ближе к 16 А при номинальном напряжении и повысится при просадке сети
2х2 хватит, наверно. потом пощупаете, сильно ли греются и оцените нужность увеличения

Хорошо, метод научного тыка рулит! Главное не забыть накинуть щиток, а то мне руки еще понадобятся..

мосфетов на 1200 до сих почти нету, так что догадываюсь, что в статье рекомендовали IGBT ))
а их до сих пор выпускают преимущественно на 600 и 1200

Ну да, 1200 вольтовые мосфеты начали выпускать недавно совсем, в позапрошлом году представитель Fuji Electric рассказывал о скором выпуске таких с таким выражением, будто их компания холодный термоядерный реактор сделала. Но в этой области еще долго будет пустовато, ИМХО..

0,6 Ом при нагретом кристалле
даже если взять 11 А, это получается 3,3 В при двух транзисторах в плече
4 доллара за штуку, 32 - за инвертор. не уверен, что это что-то уникальное
точно IGBT подешевле не нашлось?

Только если снижать частоту. Сильно снижать частоту. А тогда я уже не вмещусь со своими обмотками.. А вообще- вполне нормальные параметры для эксперимента И это тем не менее дешевле, чем жечь мосфеты с действительно выдающимися характеристиками по $20 за штуку...

да. но в мосте этого скорее всего не произойдет

Так, а если все-таки рассчитывать на плохой сценарий (ну или, скажем, в полумосте), то какие параметры требуются от диода, кроме очевидных быстродействия и максимального обратного напряжения. На какой ток выбирать, с каким падением напряжения на переходе?

мостовой инвертор?
поделитесь ссылочкой

Ну вот, к примеру, APTM50UM13SAG . Да, отношения к компактности он не имеет, но ведь таки грандиозная система отключения паразитного диода У них там, кстати, вообще очень много всего интересного есть, вплоть до готовых модулей, собранных под конкретные цели.
Вот тут, кстати, вопрос появился: как раньше делали полевики без диодов? Что за убер-технология была, если сейчас на такие ухищрения идут,Ю чтобы от него избавиться?

Сообщение отредактировал -=Sm()kE=- - Jan 29 2016, 12:26

[• Отнюдь]

Хорошо, метод научного тыка рулит! smile3.gif Главное не забыть накинуть щиток, а то мне руки еще понадобятся..

можно же выключить и пощупать обесточенное - если бабахнет, то это будет до отключения ))

Так, а если все-таки рассчитывать на плохой сценарий (ну или, скажем, в полумосте), то какие параметры требуются от диода, кроме очевидных быстродействия и максимального обратного напряжения. На какой ток выбирать, с каким падением напряжения на переходе?

разрисуйте диаграммы работы моста. если там найдется место для отпирания транзисторов на эти диоды, значит, что-то пошло не так и все равно надо чинить ))
а так, если рассчитывать на отпирание транзистора на открытый оппозитный диод, нужно выбрать такой диод, скорость запирания которого будет выше скорости отпирания транзистора. иначе сквозняк будет суровый. подбор по току - ток известен, максимальная длительность тока через диоды тоже известна. считаем по теплу, либо берем что-нибудь на половину от тока транзисторов - должно хватить.

Ну вот, к примеру, APTM50UM13SAG

непонятный зверек. даже вот не придумаю сходу, где применить. они пишут что-то про сварочные конверторы, однако, сварочный конвертор - это обычный Step-Down преобразователь на большие токи, куда такой модуль не особо-то и запихнешь. в общем, это выходит за рамки моих знаний

У них там, кстати, вообще очень много всего интересного есть, вплоть до готовых модулей, собранных под конкретные цели.

они делают интересные вещи, но ценник совершенно не гуманный

Вот тут, кстати, вопрос появился: как раньше делали полевики без диодов? Что за убер-технология была, если сейчас на такие ухищрения идут,Ю чтобы от него избавиться?

технологией производства не интересовался. самими полевиками стал интересоваться сравнительно недавно, когда они стали доступны и получили вменяемые параметры, т.е. уже в этом веке

--------------------

Мощность распределять нужно плавно и равномерно (ц) Гена21

[• -=Sm()kE=-]

Вот вариант полумоста. Мощность, которую я от него хочу, около 2 кВт. Будет ли работать такой вариант управления ключами?
Собственно, здесь идет сигнал с управления, усиливается драйвером IR4427 с питанием 12-15 вольт. Далее GDT, выходы которого идут к силовому ключу через схему быстрого закрывания (с разряжением затвора):

Как мне кажется, все хорошо, учел, кажется, все.. Но тем не менее есть вопросы:
1) Оно точно заработает? Есть подобные варианты в патентах Сименса, но там транзистор, в общем-то, коротит вторичную обмотку GDT. У меня такого быть не должно, да?
2) Нормально ли будет работать разряжающий транзистор? Хочу поставить FDS9435A (ну или BSO201SP если придется). У первого, например, максимальное напряжение на затворе плюс-минус 25 вольт. Насколько высокое напряжение может подняться на GDT между тактами из-за самоиндукции? Может, переставить защитный диод ближе ко входу, чтобы он гасил всплески не только для силового ключа, но и для разряжающего?
3) Диод (D9 или D12) наверное лучше взять Шоттки?

[• Отнюдь]

-=Sm()kE=-,
1) точно не заработает, пока не перевернете разряжающие полевики. коротить будет, но не наглухо, а через резистор и диод, так что это не опасно;
2) не могу сказать - такие схемы не применял. но, по идее, все должно нормально работать. защитный диод в этой схеме работать не должен, так что его расположение в общем-то пофиг - Ктр нужно подобрать так, чтоб и силовому, и разряжающему ключам не поплохело;
3) да. либо шоттки, либо что-то быстрое

--------------------

Мощность распределять нужно плавно и равномерно (ц) Гена21

[• -=Sm()kE=-]

1) точно не заработает, пока не перевернете разряжающие полевики.

Я ведь правильно понял- исток со стоком местами поменять?

Ктр нужно подобрать так, чтоб и силовому, и разряжающему ключам не поплохело;

Я хотел запользовать GDT с К.тр. 1, но частенько в этих самых интернетах пугают дикой бешеной самоиндукцией, сжигающей все на своем пути.

[• Отнюдь]

Я ведь правильно понял- исток со стоком местами поменять?

именно. иначе отпирающий импульс будет погашен диодом запорного транзистора

Я хотел запользовать GDT с К.тр. 1, но частенько в этих самых интернетах пугают дикой бешеной самоиндукцией, сжигающей все на своем пути.

а не нужно бояться. надо включить и посмотреть, заменив затвор силового транзистора похожей емкостью

--------------------

Мощность распределять нужно плавно и равномерно (ц) Гена21

[• -=Sm()kE=-]

Я, видимо, снова задам идиотский вопрос. А именно: что указывается под параметром мосфета "максимальный ток стока"? Максимальный ток, выше которого мосфет сгорит?
У меня есть ситуация я ее утрирую немного, чтобы было удобнее, но сути не изменит. Итак: есть полумост с жесткой коммутацией. И очень хорошими транзисторами, всего 60 мОм, Tr/Tf = 8/4 нс, но у них параметр "максимальный ток стока" 10А. Итак, есть схема, в которой через эти транзисторы качается до 9А, при этом, общие потери всего 10 Вт. Но некие инженеры из бывшей IR утверждают, что нельзя превышать этот параметр, и прокачать, скажем, 15А. Почему, ведь потери всего лишь увеличатся до 25 ватт, и температура кристалла будет очень далека до критической. Я, может, забываю о каких-то хитрых процессах внутри кристалла? Мне какое-то время казалось, что здесь ситуация как с плавким предохранителем - если ток высокий, но импульс короткий, то нить предохранителя не успеет нагреться до плавления. Или я таки очередной раз ошибаюсь?

[• Отнюдь]

очень хорошими транзисторами, всего 60 мОм, Tr/Tf = 8/4 нс, но у них параметр "максимальный ток стока" 10А

даташит в студию!
а вообще некрасиво грузить элементы под завязку - это их сильно печалит. я предпочитаю тройной и более запас по току

Сообщение отредактировал Отнюдь - Mar 5 2018, 07:25

--------------------

Мощность распределять нужно плавно и равномерно (ц) Гена21

[• -=Sm()kE=-]

даташит в студию!
а вообще некрасиво грузить элементы под завязку - это их сильно печалит. я предпочитаю тройной и более запас по току

Ну, я, в данном случае, о irfi4020. Так что же насчет тока-то?

[• Отнюдь]

что указывается под параметром мосфета "максимальный ток стока"? Максимальный ток, выше которого мосфет сгорит?

у IRFI4020H-117P в табличке максимумов даташита есть три тока:
постоянный ток при температуре корпуса 25 градусов
постоянный ток при температуре корпуса 100 градусов
импульсный ток (повторяющийся, длительность импульса ограничена температурой кристалла)

обычно максимальным током стока считают максимальный постоянный ток при температуре корпуса 25 градусов. если превысить этот ток, мосфет действительно может сгореть:
в том же даташите приведена максимальная рассеиваемая мощность при температуре корпуса 25 градусов - 21 ватт
проверим корректность заявленной мощности:
21 Вт * 5,9 °C/W = 123,9 °С - температура перегрева кристалла относительно корпуса
+25 °C корпуса = 149 °C на кристалле. предельная температура.
проврим корректность заявленного максимального тока при 25 градусах:
корень(21 Вт / (0,1*2,55)) = 9,07 А, которые и заявлены производителем

разумеется, при импульсной работе транзистора ток может быть больше, но не должен превышать заявленный в предельно допустимых параметрах импульсный ток. там уже какое-то колдунство, связанное с технологией производства конкретного мосфета. примерно как с невозможностью работы хексфетов (мосфетов с ячеистой структурой) в линейном режиме.
в остальном - пляшем от температуры

--------------------

Мощность распределять нужно плавно и равномерно (ц) Гена21

[• -=Sm()kE=-]

обычно максимальным током стока считают максимальный постоянный ток при температуре корпуса 25 градусов. если превысить этот ток, мосфет действительно может сгореть:
в том же даташите приведена максимальная рассеиваемая мощность при температуре корпуса 25 градусов - 21 ватт
проверим корректность заявленной мощности:
21 Вт * 5,9 °C/W = 123,9 °С - температура перегрева кристалла относительно корпуса
+25 °C корпуса = 149 °C на кристалле. предельная температура.
проврим корректность заявленного максимального тока при 25 градусах:
корень(21 Вт / (0,1*2,55)) = 9,07 А, которые и заявлены производителем

Так суть-то в чем: мне очень надо попользовать впечатляющие параметры этого мосфета (точнее- пары), для большой скорости переключения. И у меня есть идея принудительно отбирать тепло модулями Пельтье. Тогда можно превысить ток?

[• Отнюдь]

Так суть-то в чем: мне очень надо попользовать впечатляющие параметры этого мосфета (точнее- пары), для большой скорости переключения. И у меня есть идея принудительно отбирать тепло модулями Пельтье. Тогда можно превысить ток?

пляшем от температуры кристалла 125 градусов, остаемся в пределах заявленного в даташите импульсного тока и считаем все потери. ну и времена переключения желательно проконтролировать инструментально, а не только по даташиту. и все должно работать

--------------------

Мощность распределять нужно плавно и равномерно (ц) Гена21